Image is for reference only , details as Specifications

IPB120N06N G

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB120N06N G
Описание: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 4V @ 94µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 11.7mOhm @ 75A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 158W (Tc)
Пакет устройств поставщика D²PAK (TO-263AB)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 62nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 2100pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 75A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 85 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPB110N06L G
Infineon Technologies
$0
IPB100N06S3L-04
Infineon Technologies
$0
IPB100N06S3-04
Infineon Technologies
$0
IPB085N06L G
Infineon Technologies
$0
IPB050N06NGATMA1
Infineon Technologies
$0