Image is for reference only , details as Specifications

IPB12CNE8N G

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB12CNE8N G
Описание: MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 4V @ 83µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 12.9mOhm @ 67A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 125W (Tc)
Пакет устройств поставщика D²PAK (TO-263AB)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 64nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 85V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 4340pF @ 40V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 67A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 94 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPB12CN10N G
Infineon Technologies
$0
IPB100N04S204ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB08CNE8N G
Infineon Technologies
$0
IPB08CN10N G
Infineon Technologies
$0
IPB06CN10N G
Infineon Technologies
$0