Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPB160N04S2L03ATMA2

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IPB160N04S2L03ATMA2
Описание:	MOSFET N-CH TO262-7
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Discontinued at Digi-Key
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (th) (Max)	2V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	2.7mOhm @ 80A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	300W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-7-3
Заряд ворот (Кг) (Макс)	230nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	40V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	6000pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	160A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V