Image is for reference only , details as Specifications

IPB180N06S4H1ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB180N06S4H1ATMA1
Описание: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Discontinued at Digi-Key
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (th) (Max) 4V @ 200µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 1.7mOhm @ 100A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 250W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO263-7-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 270nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 21900pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 180A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 76 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPB120N06S4H1ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB120N06S403ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB120N06S402ATMA1
Infineon Technologies
$0
BSS159NH6327XTSA1
Infineon Technologies
$0
BSS127H6327XTSA1
Infineon Technologies
$0