Image is for reference only , details as Specifications

IPB35N10S3L26ATMA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IPB35N10S3L26ATMA1
Описание:	MOSFET N-CH TO263-3
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max)	2.4V @ 39µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	26.3mOhm @ 35A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	71W (Tc)
Пакет устройств поставщика	D²PAK (TO-263AB)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	39nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2700pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	35A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V