Image is for reference only , details as Specifications

IPB60R099P7ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB60R099P7ATMA1
Описание: MOSFET N-CH TO263-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии CoolMOS™ P7
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 4V @ 530µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 99mOhm @ 10.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 117W (Tc)
Пакет устройств поставщика D²PAK (TO-263AB)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 45nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1952pF @ 400V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 31A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 1985 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

CSD18532KCS
NA
$2.3
FDBL0330N80
ON Semiconductor
$0
STFI10N62K3
STMicroelectronics
$2.27
IPB011N04LGATMA1
Infineon Technologies
$0
STFI15N60M2-EP
STMicroelectronics
$2.26