Image is for reference only , details as Specifications

IPB60R180C7ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB60R180C7ATMA1
Описание: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии CoolMOS™ C7
Тип FET N-Channel
Упаковки Cut Tape (CT)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Vgs (th) (Max) 4V @ 260µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 130mOhm @ 5.3A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 68W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO263-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 24nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1080pF @ 400V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 13A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 1000 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.66 $2.61 $2.55
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

STF3N62K3
STMicroelectronics
$1.4
SIHA240N60E-GE3
Vishay / Siliconix
$0
FQPF3N80C
ON Semiconductor
$1.38
FQP5N60C
ON Semiconductor
$1.38
SIHP10N40D-GE3
Vishay / Siliconix
$1.38