IPB65R110CFDATMA2
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | IPB65R110CFDATMA2 |
Описание: | HIGH POWER_LEGACY |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | CoolMOS™ CFD2 |
Тип FET | N-Channel |
Vgs (Макс) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs (th) (Max) | 4.5V @ 1.3mA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 277.8W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3 |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 118nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 650V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 3240pF @ 100V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 31.2A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
На складе 94 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$3.01 | $2.95 | $2.89 |
Минимальный: 1