Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPB79CN10N G

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB79CN10N G
Описание: MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 4V @ 12µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 79mOhm @ 13A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 31W (Tc)
Пакет устройств поставщика D²PAK (TO-263AB)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 11nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 716pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 13A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 61 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPB77N06S212ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB60R250CPATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB50R299CPATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB50R250CPATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB50CN10NGATMA1
Infineon Technologies
$0