Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPB80N06S2L06ATMA2

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB80N06S2L06ATMA2
Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 2V @ 180µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 6mOhm @ 69A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 250W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO263-3-2
Заряд ворот (Кг) (Макс) 150nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 55V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 3800pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 80A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 423 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IRFS7434TRL7PP
Infineon Technologies
$0
IRFS4227TRLPBF
Infineon Technologies
$0
IRFS7734TRLPBF
Infineon Technologies
$0
BSC047N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB80N04S303ATMA1
Infineon Technologies
$0