Image is for reference only , details as Specifications

IPC302N20N3X1SA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IPC302N20N3X1SA1
Описание:	MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	OptiMOS™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Bulk
Vgs (Макс)	-
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	Die
Vgs (th) (Max)	4V @ 260µA
Операционная температура	-
Rds On (Макс) - Id, Vgs	100mOhm @ 2A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	-
Пакет устройств поставщика	Sawn on foil
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	200V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	1A (Tj)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V