Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPD031N03LGATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD031N03LGATMA1
Описание: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 2.2V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 3.1mOhm @ 30A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 94W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 51nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 5300pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 90A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 55 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.50 $0.49 $0.48
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NVMFS5C423NLAFT1G
ON Semiconductor
$0.5
DMPH6023SK3Q-13
Diodes Incorporated
$0
BSC020N03LSGATMA2
Infineon Technologies
$0.51
DMTH10H010LPS-13
Diodes Incorporated
$0.51
NVMFS6H852NWFT1G
ON Semiconductor
$0.51