Image is for reference only , details as Specifications

IPD082N10N3GATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD082N10N3GATMA1
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 3.5V @ 75µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 8.2mOhm @ 73A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 125W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 55nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 3980pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 80A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 6V, 10V

На складе 3225 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IRFR4615TRLPBF
Infineon Technologies
$0
FDMC86139P
ON Semiconductor
$0
SI4850EY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI7149DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
HAT2168H-EL-E
Renesas Electronics America
$0