Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов
IPD110N12N3GATMA1
| Производителей: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Лист данных: | IPD110N12N3GATMA1 |
| Описание: | MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Infineon Technologies |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Серии | OptiMOS™ |
| Тип FET | N-Channel |
| Упаковки | Cut Tape (CT) |
| Vgs (Макс) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Функция FET | - |
| Статус части | Active |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs (th) (Max) | 3V @ 83µA (Typ) |
| Операционная температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 11mOhm @ 75A, 10V |
| Рассеивание мощности (Макс) | 136W (Tc) |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3 |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 65nC @ 10V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 120V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 4310pF @ 60V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 75A (Tc) |
| Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
На складе 12736 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.92 | $1.88 | $1.84 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
