Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPD12CN10NGATMA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IPD12CN10NGATMA1
Описание:	MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	OptiMOS™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max)	4V @ 83µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	12.4mOhm @ 67A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	125W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Заряд ворот (Кг) (Макс)	65nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	4320pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	67A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V