Image is for reference only , details as Specifications

IPD200N15N3GATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD200N15N3GATMA1
Описание: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Cut Tape (CT)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 4V @ 90µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 20mOhm @ 50A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 150W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 31nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 150V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1820pF @ 75V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 50A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 8V, 10V

На складе 8013 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.47 $2.42 $2.37
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SI7469DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
BSC040N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
$1.16
SUD50P04-09L-E3
Vishay / Siliconix
$0
BSC014N04LSIATMA1
Infineon Technologies
$2.76