IPD30N03S2L10ATMA1
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | IPD30N03S2L10ATMA1 |
Описание: | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | OptiMOS™ |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Макс) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs (th) (Max) | 2V @ 50µA |
Операционная температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 10mOhm @ 30A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 100W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3 |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 42nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 30V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 1200pF @ 25V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 30A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 4.5V, 10V |
На складе 74 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.47 | $0.46 | $0.45 |
Минимальный: 1