Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPD30N03S4L09ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD30N03S4L09ATMA1
Описание: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 2.2V @ 13µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 42W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 20nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1520pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 30A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 86174 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

STN2NF10
STMicroelectronics
$0
FDS8447
ON Semiconductor
$0
BSZ097N04LSGATMA1
Infineon Technologies
$0
NTD2955T4G
ON Semiconductor
$0
STD17NF03LT4
STMicroelectronics
$0