Image is for reference only , details as Specifications

IPD30N06S223ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD30N06S223ATMA1
Описание: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Discontinued at Digi-Key
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 4V @ 50µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 23mOhm @ 21A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 100W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 32nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 55V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 901pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 30A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 86 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPD30N03S2L07ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPD26N06S2L35ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPI100N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
$0
IPI100N04S303AKSA1
Infineon Technologies
$0
IPI08CNE8N G
Infineon Technologies
$0