Image is for reference only , details as Specifications

IPD50N06S4L12ATMA2

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD50N06S4L12ATMA2
Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 2.2V @ 20µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 12mOhm @ 50A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 50W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3-11
Заряд ворот (Кг) (Макс) 40nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 2890pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 50A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 8692 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FQD7P20TM
ON Semiconductor
$0
ZVN2106GTA
Diodes Incorporated
$0
PSMN020-100YS,115
Nexperia USA Inc.
$0
BSZ440N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
$0
FDN86265P
ON Semiconductor
$0