Image is for reference only , details as Specifications

IPD50R650CEBTMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD50R650CEBTMA1
Описание: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии CoolMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Discontinued at Digi-Key
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 3.5V @ 150µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 650mOhm @ 1.8A, 13V
Рассеивание мощности (Макс) 47W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 15nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 500V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 342pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 6.1A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 13V

На складе 67 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SIR640DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
IXTA02N250
IXYS
$0
IXTF03N400
IXYS
$0
IXTA02N450HV
IXYS
$0
SUD50P04-13L-E3
Vishay / Siliconix
$0