Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPD60R1K4C6ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD60R1K4C6ATMA1
Описание: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии CoolMOS™ C6
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Not For New Designs
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 3.5V @ 90µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 28.4W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 9.4nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 200pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 3.2A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 6958 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

TN2404K-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI3458BDV-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI3460BDV-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0