Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPD640N06LGBTMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD640N06LGBTMA1
Описание: MOSFET N-CH 60V 18A TO-252
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Cut Tape (CT)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Discontinued at Digi-Key
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 2V @ 16µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 64mOhm @ 18A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 47W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 13nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 470pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 18A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 50 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPD144N06NGBTMA1
Infineon Technologies
$0
IPD12N03LB G
Infineon Technologies
$0
IPD03N03LB G
Infineon Technologies
$0
IPBH6N03LA G
Infineon Technologies
$0
IPB80N06S3L-06
Infineon Technologies
$0