Image is for reference only , details as Specifications

IPD65R190C7ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD65R190C7ATMA1
Описание: MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии CoolMOS™ C7
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 4V @ 290µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 190mOhm @ 5.7A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 72W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 23nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1150pF @ 400V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 13A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 2475 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSC190N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
$0
IRL3713STRLPBF
Infineon Technologies
$0
IPB011N04NGATMA1
Infineon Technologies
$2.8
IRFS7430TRLPBF
Infineon Technologies
$0
IPD320N20N3GATMA1
Infineon Technologies
$0