Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов
IPD65R650CEATMA1
| Производителей: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Лист данных: | IPD65R650CEATMA1 |
| Описание: | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252 |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Infineon Technologies |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Серии | CoolMOS™ |
| Тип FET | N-Channel |
| Упаковки | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Макс) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Функция FET | Super Junction |
| Статус части | Obsolete |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs (th) (Max) | 3.5V @ 0.21mA |
| Операционная температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 650mOhm @ 2.1A, 10V |
| Рассеивание мощности (Макс) | 86W (Tc) |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3 |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 23nC @ 10V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 650V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 440pF @ 100V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 10.1A (Tc) |
| Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
На складе 76 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
