Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPD65R660CFDAATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD65R660CFDAATMA1
Описание: MOSFET N-CH TO252-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 4.5V @ 214.55µA
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 660mOhm @ 3.22A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 62.5W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 20nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 543pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 6A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 50 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.81 $0.79 $0.78
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

AOW7S60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0.81
IRF610LPBF
Vishay / Siliconix
$0.81
R4008ANDTL
ROHM Semiconductor
$0.81
AUIRFZ34N
Infineon Technologies
$0.81
NVMFS5C426NWFAFT1G
ON Semiconductor
$0.81