Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPD70N10S3L12ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD70N10S3L12ATMA1
Описание: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 2.4V @ 83µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 11.5mOhm @ 70A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 125W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 77nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 5550pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 70A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 71 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NVMJS2D5N06CLTWG
ON Semiconductor
$0.73
RD3G600GNTL
ROHM Semiconductor
$0
NVMJS1D5N04CLTWG
ON Semiconductor
$0.73
STFI9N60M2
STMicroelectronics
$0.78
NTMFS5H419NLT1G
ON Semiconductor
$0