Image is for reference only , details as Specifications

IPD80R1K4CEATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD80R1K4CEATMA1
Описание: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии CoolMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 3.9V @ 240µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 63W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 23nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 800V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 570pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 3.9A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 7140 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

PSMN1R2-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
$0
PSMN050-80BS,118
Nexperia USA Inc.
$0
FDD6690A
ON Semiconductor
$0
TK560P65Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0