Image is for reference only , details as Specifications

IPD80R1K4CEBTMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD80R1K4CEBTMA1
Описание: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии CoolMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Discontinued at Digi-Key
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 3.9V @ 240µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 63W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-252-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 23nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 800V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 570pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 3.9A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 60 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPD80R2K8CEBTMA1
Infineon Technologies
$0
IPU80R1K0CEBKMA1
Infineon Technologies
$0
IPU80R2K8CEBKMA1
Infineon Technologies
$0
IPU80R1K4CEBKMA1
Infineon Technologies
$0
IRFS7434PBF
Infineon Technologies
$0