Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPD80R2K8CEATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD80R2K8CEATMA1
Описание: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии CoolMOS™ CE
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 3.9V @ 120µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 42W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 12nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 800V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 290pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 1.9A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 14000 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NDT452AP
ON Semiconductor
$0.95
SI2325DS-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0.41
SI3483CDV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
CSD17551Q5A
NA
$0.99
AO4425
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0