Image is for reference only , details as Specifications

IPD90N10S4L06ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD90N10S4L06ATMA1
Описание: MOSFET N-CH TO252-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 2.1V @ 90µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 6.6mOhm @ 90A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 136W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3-313
Заряд ворот (Кг) (Макс) 98nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 6250pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 90A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 9961 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

AON6280
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$2.17
IPL60R365P7AUMA1
Infineon Technologies
$0
PSMN4R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
$0
IRF6644TRPBF
Infineon Technologies
$1.02