Image is for reference only , details as Specifications

IPDD60R102G7XTMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPDD60R102G7XTMA1
Описание: MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии CoolMOS™ G7
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 10-PowerSOP Module
Vgs (th) (Max) 4V @ 390µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 102mOhm @ 7.8A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 139W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-HDSOP-10-1
Заряд ворот (Кг) (Макс) 34nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1320pF @ 400V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 23A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 2089 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

STFI15N65M5
STMicroelectronics
$2.69
R6007JNXC7G
ROHM Semiconductor
$2.69
IRFBC40ASTRLPBF
Vishay / Siliconix
$0
IRLR014
Vishay / Siliconix
$2.68
IRFBC40STRLPBF
Vishay / Siliconix
$0