Image is for reference only , details as Specifications

IPDD60R190G7XTMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPDD60R190G7XTMA1
Описание: MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии CoolMOS™ G7
Тип FET N-Channel
Упаковки Cut Tape (CT)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 10-PowerSOP Module
Vgs (th) (Max) 4V @ 210µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 190mOhm @ 4.2A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 76W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-HDSOP-10-1
Заряд ворот (Кг) (Макс) 18nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 718pF @ 400V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 13A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 484 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.82 $2.76 $2.71
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPB600N25N3GATMA1
Infineon Technologies
$0
STD105N10F7AG
STMicroelectronics
$0
DMN6140L-7
Diodes Incorporated
$0
DMN55D0UT-7
Diodes Incorporated
$0
FDC638APZ
ON Semiconductor
$0.16