IPG20N04S412ATMA1
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | IPG20N04S412ATMA1 |
Описание: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
Упаковки | Tape & Reel (TR) |
Функция FET | Standard |
Статус части | Active |
Мощность - Макс | 41W |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 8-PowerVDFN |
Vgs (th) (Max) | 4V @ 15µA |
Операционная температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 12.2mOhm @ 17A, 10V |
Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-4 |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 18nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 40V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 1470pF @ 25V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 20A |
На складе 73 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.44 | $0.43 | $0.42 |
Минимальный: 1