Image is for reference only , details as Specifications

IPG20N04S4L11ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: IPG20N04S4L11ATMA1
Описание: MOSFET 2N-CH 8TDSON
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Cut Tape (CT)
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Active
Мощность - Макс 41W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) 2.2V @ 15µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 11.6mOhm @ 17A, 10V
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-4
Заряд ворот (Кг) (Макс) 26nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 40V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1990pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 20A

На складе 17428 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.13 $1.11 $1.09
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FDS6990A
ON Semiconductor
$0
SQJB80EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
NDS9952A
ON Semiconductor
$0
IRF7380TRPBF
Infineon Technologies
$0