Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPG20N06S2L65AATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: IPG20N06S2L65AATMA1
Описание: MOSFET 2N-CH 8TDSON
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Active
Мощность - Макс 43W
Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
Пакет / Дело 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) 2V @ 14µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 65mOhm @ 15A, 10V
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-10
Заряд ворот (Кг) (Макс) 12nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 55V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 410pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 20A

На складе 9687 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FDMS9620S
ON Semiconductor
$0
DMTH6010LPD-13
Diodes Incorporated
$0
HP8K22TB
ROHM Semiconductor
$0
ZXMN10A08DN8TA
Diodes Incorporated
$0.92
BUK9K45-100E,115
Nexperia USA Inc.
$0