Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPG20N06S4L11AATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: IPG20N06S4L11AATMA1
Описание: MOSFET 2N-CH 8TDSON
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Tape & Reel (TR)
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Active
Мощность - Макс 65W
Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
Пакет / Дело 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) 2.2V @ 28µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 11.2mOhm @ 17A, 10V
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-10
Заряд ворот (Кг) (Макс) 53nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 4020pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 20A

На складе 53 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.89 $0.87 $0.85
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NVMFD5489NLWFT1G
ON Semiconductor
$0.88
FDWS9420-F085
ON Semiconductor
$0.87
SI4936ADY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0.86
IPG20N06S4L11ATMA1
Infineon Technologies
$0.86
LN60A01ES-LF
Monolithic Power Systems Inc.
$0.86