Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPG20N06S4L26ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: IPG20N06S4L26ATMA1
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии OptiMOS™
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Active
Мощность - Макс 33W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) 2.2V @ 10µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 26mOhm @ 17A, 10V
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-4
Заряд ворот (Кг) (Макс) 20nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1430pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 20A

На складе 27955 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DMP4050SSD-13
Diodes Incorporated
$0
FDS4935BZ
ON Semiconductor
$0
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
BFU530R
NXP USA Inc.
$0
2SC4713KT146S
ROHM Semiconductor
$0