Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPG20N10S4L22AATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: IPG20N10S4L22AATMA1
Описание: MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии OptiMOS™
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Active
Мощность - Макс 60W
Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
Пакет / Дело 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) 2.1V @ 25µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 22mOhm @ 17A, 10V
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-10
Заряд ворот (Кг) (Макс) 27nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1755pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 20A

На складе 23291 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPG20N06S415AATMA1
Infineon Technologies
$0
SI7949DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
FDS3890
ON Semiconductor
$1.66
2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0