Image is for reference only , details as Specifications
IPG20N10S4L35AATMA1
| Производителей: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Лист данных: | IPG20N10S4L35AATMA1 |
| Описание: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Infineon Technologies |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Серии | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Упаковки | Tape & Reel (TR) |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Статус части | Active |
| Мощность - Макс | 43W |
| Тип монтажа | Surface Mount, Wettable Flank |
| Пакет / Дело | 8-PowerVDFN |
| Vgs (th) (Max) | 2.1V @ 16µA |
| Операционная температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 35mOhm @ 17A, 10V |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-10 |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 17.4nC @ 10V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 100V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 1105pF @ 25V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 20A |
На складе 96 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.47 | $0.46 | $0.45 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
