Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPI023NE7N3 G

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPI023NE7N3 G
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) 3.8V @ 273µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 300W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO262-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 206nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 75V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 14400pF @ 37.5V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 120A (Tc)

На складе 67 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPD90N06S4L06ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPP60R520C6XKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP45P03P4L11AKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP45N06S4L08AKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP45N06S409AKSA1
Infineon Technologies
$0