Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPI086N10N3GXKSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPI086N10N3GXKSA1
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) 3.5V @ 75µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 8.6mOhm @ 73A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 125W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO262-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 55nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 3980pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 80A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 6V, 10V

На складе 1426 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.44 $1.41 $1.38
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

STU2N80K5
STMicroelectronics
$1.43
STD11NM65N
STMicroelectronics
$0
IRLU110PBF
Vishay / Siliconix
$1.42
IRFU310PBF
Vishay / Siliconix
$1.42