Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPI110N20N3GAKSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPI110N20N3GAKSA1
Описание: MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) 4V @ 270µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 11mOhm @ 88A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 300W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO262-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 87nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 7100pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 88A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 90 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.01 $3.93 $3.85
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IXFA14N85XHV
IXYS
$4
IXFH16N60P3
IXYS
$4
IXTH340N04T4
IXYS
$4
IXFA26N50P3
IXYS
$4
IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
$4