Image is for reference only , details as Specifications

IPI180N10N3GXKSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPI180N10N3GXKSA1
Описание: MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) 3.5V @ 33µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 18mOhm @ 33A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 71W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO262-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 25nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1800pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 43A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 6V, 10V

На складе 87 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.90 $0.88 $0.86
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SIHU7N60E-E3
Vishay / Siliconix
$0.9
FDWS9408-F085
ON Semiconductor
$0.9
FQI8N60CTU
ON Semiconductor
$0.9
IPD046N08N5ATMA1
Infineon Technologies
$0.9
FDMC008N08C
ON Semiconductor
$0.9