Image is for reference only , details as Specifications

IPI80N06S2L11AKSA2

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPI80N06S2L11AKSA2
Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) 2V @ 93µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 10.7mOhm @ 40A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 158W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO262-3-1
Заряд ворот (Кг) (Макс) 80nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 55V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 2075pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 80A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 54 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.25 $1.23 $1.20
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FDBL86366-F085
ON Semiconductor
$0
DMTH4005SCT
Diodes Incorporated
$1.25
IPB180N03S4L01ATMA1
Infineon Technologies
$1.25
AUIRF4104
Infineon Technologies
$1.25
IRF9620SPBF
Vishay / Siliconix
$1.25