Image is for reference only , details as Specifications

IPN60R3K4CEATMA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IPN60R3K4CEATMA1
Описание:	MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	CoolMOS™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	Super Junction
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	SOT-223-3
Vgs (th) (Max)	3.5V @ 40µA
Операционная температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	3.4Ohm @ 500mA, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	5W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-SOT223
Заряд ворот (Кг) (Макс)	4.6nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	93pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	2.6A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V