Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPN80R900P7ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPN80R900P7ATMA1
Описание: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии CoolMOS™ P7
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-261-3
Vgs (th) (Max) 3.5V @ 110µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 900mOhm @ 2.2A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 7W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-SOT223
Заряд ворот (Кг) (Макс) 15nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 800V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 350pF @ 500V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 6A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 8675 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

TSM650N15CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
TSM026NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
TPH3R003PL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
BUK9675-55A,118
Nexperia USA Inc.
$0
IRFH7932TRPBF
Infineon Technologies
$0