Image is for reference only , details as Specifications

IPP041N12N3GXKSA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IPP041N12N3GXKSA1
Описание:	MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	OptiMOS™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-220-3
Vgs (th) (Max)	4V @ 270µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	4.1mOhm @ 100A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	300W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-TO220-3
Заряд ворот (Кг) (Макс)	211nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	120V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	13800pF @ 60V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	120A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V