Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPP076N12N3GXKSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPP076N12N3GXKSA1
Описание: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-220-3
Vgs (th) (Max) 4V @ 130µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 7.6mOhm @ 100A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 188W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO220-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 101nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 120V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 6640pF @ 60V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 100A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 305 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.68 $2.63 $2.57
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

TK65A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
$2.66
IPA60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
$2.65
IRFIZ48GPBF
Vishay / Siliconix
$2.66
TK7J90E,S1E
Toshiba Semiconductor and Storage
$2.57
IXTP28P065T
IXYS
$2.66