Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPP26CNE8N G

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPP26CNE8N G
Описание: MOSFET N-CH 85V 35A TO-220
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-220-3
Vgs (th) (Max) 4V @ 39µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 26mOhm @ 35A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 71W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO220-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 31nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 85V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 2070pF @ 40V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 35A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 60 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPP26CN10NGHKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP25N06S3L-22
Infineon Technologies
$0
IPSH6N03LA G
Infineon Technologies
$0
IPSH5N03LA G
Infineon Technologies
$0
IPSH4N03LA G
Infineon Technologies
$0